SOI  WAFER

6英寸产品规格

Crystal Growth Method:  CZ

Overall        Wafer :  Diameter 150 mm

Orientation          :  <100>

Type/Dopant          : P-type/Boron

Front side           : Finish Mirror Polished

Backside             : Finish Etched + Poly-si + Oxide

SOI layer Mean Thickness(Total): 0.22 ± 0.01 μm

Resistivity          : 10 ~ 20 ohm-cm

Normal edge exclusion: <= 5mm

Primary flat location: <110>

Primary flat length  : 57.5 +/- 2.5 mm

Carbon content       : <= 0.5 ppma

Oxygen content       : 11~15 ppma

Light point defects count: 100 @ 0.2 μm

HF defects           : <= 0.5 /cm2

Buried Oxide Layer Mean Thickness: 3μm +/- 5%

Handel Wafer Thickness: 675+/-15 μm

Crystal Growth Method:  CZ

Orientation          :  <100>

Type/Dopant          : P-type/Boron

Resistivity          : 10 ~ 20 ohm-cm

Primary flat location: <110>

Primary flat length  : 57.5 +/- 2.5 mm

Carbon content       : <= 0.5 ppma

Oxygen content       : 11~15 ppma

4英寸产品规格

Overall        Wafer :  Diameter 100 mm

Handel Wafer Thickness: 525+/-15 μm

SOI layer Mean Thickness(Total): 0.20 ± 0.01 μm

Buried Oxide Layer Mean Thickness: 0.375μm +/- 5%

注：我司可以提供切割服务，比如将wafer切割成 10x10mm 15x15mm

    其他尺寸可以接受预定