SiO2 水晶

SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。

性质:

生长方法

水热法

晶体结构

六方

晶格常数

a=4.914Å
c=5.405 Å

密 度

2.684g/cm3

硬 度

7(mohs)

热 容

0.18cal/gm

熔 点

1610℃(相转变点:573.1℃)

热 导 率

0.0033cal/cm℃

热电常数

1200uv/℃(300℃)

折 射 率

1.544

热膨胀系数

α11:13.71×10­6 / ℃ α33:7.48×10­6 /℃

Q 值
声速、声表级
频率常数
压电偶合

1.8×106 min
3160(m/sec)
1661(kHz/mm)
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14

包 裹 物

IEC Gread ∣∣

标准产品:

方向

Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
主定位边:根据客户要求定方向±30分
次定位边:根据客户要求定方向
籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm

抛光面

外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
工作区域:基片直径-3mm
弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
坑和划痕:每片<3,每100片<20

标准厚度

0.5mm±0.05mm TTV<5um

标准直径

Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位边:10mm±1.5mm

可根据客户要求提供特殊尺寸和方向的基片。