生长方法

水热法

晶体结构

六方

晶格常数

a=4.914Å
c=5.405 Å

密 度

2.684g/cm3

硬 度

7（mohs）

热 容

0.18cal/gm

熔 点

1610℃（相转变点：573.1℃）

热 导 率

0.0033cal/cm℃

热电常数

1200uv/℃（300℃）

折 射 率

1.544

热膨胀系数

α11：13.71×10­6 / ℃ α33：7.48×10­6 /℃

Q 值
声速、声表级
频率常数
压电偶合

1.8×106 min
3160（m/sec）
1661（kHz/mm）
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14

包 裹 物

IEC Gread ∣∣

方向

Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
主定位边：根据客户要求定方向±30分
次定位边：根据客户要求定方向
籽 晶：位于中心，宽度<5mm，高度>66mm

抛光面

外延抛光：单抛或双抛Ra<10Å
工作区域：基片直径-3mm
弯 曲 度：Φ3″<20um，Φ4″<30um
工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm
坑和划痕：每片<3，每100片<20

标准厚度

0.5mm±0.05mm TTV<5um

标准直径

Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位边：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位边：10mm±1.5mm