CdTe 单晶基片
晶体 |
结构 |
熔点 |
密度 |
热容 |
热膨胀 |
热导率 |
透过波长 |
折射率 |
生长方法 |
应用 |
CdS |
六方 |
1287 |
4.821 |
0.3814 |
4.6//a 2.5//c |
2.7 |
0.52-14.8 |
1.708(o) 1.723(e) |
PVT |
X射线检测,连接器件,外延基片,蒸发源的晶体片。 |
CdTe |
立方 |
1047 |
5.851 |
0.210 |
5.0 |
6.3 |
0.85-29.9 |
2.72 |
PVT |
X射线,红外光学,外延基片,蒸发源的晶体片 |
ZnSe |
立方 |
1517 |
5.264 |
0.339 |
7.1 |
13 |
0.51-19.0 |
2.5 |
PVT |
CO2激光器的红外光学,透镜,窗口,分束器,外延基片,蒸发源的晶体片 |
ZnO |
六方 |
1975 |
5.605 |
0.125 |
6.5//a |
30 |
0.4-0.6 |
1.922(o) 1.936(e) |
水热法 |
GaN(蓝光LED)外延基片,宽波段连接器件 |