单晶

掺杂

导电
类型

载流子浓度cm-3

位错密
度cm-2

生长方法
最大尺寸

标准
基片

GaSb

None
None high R
Zn
Te
Te high R

P
P-
P+
N
N

1~2×1017
1~5×1016
1~5×1018
2~6×1017
1~5×1016

＜103

LEC
Φ3″

Φ3″×0.5
Φ2″×0.5