砷化镓（GaAs)

 

单晶

掺杂

导电
类型

载流子浓度cm-3

位错密
度cm-2

生长方法
最大尺寸

标准
基片

GaAs

none
Si
Cr
Fe
Zn

Si
N
Si
N
P

∕
>5×1017
∕
~2×1018
>5×1017

<5×105

LEC
HB
Φ3″

Φ3″×0.5
Φ2″×0.5