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专业生产单晶衬底、溅射靶材和实验室配套设备产品
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砷化铟(InAs)
单晶
掺杂
导电
类型
载流子浓度cm-3
位错密
度cm-2
生长方法
最大尺寸
标准
基片
InAs
None
N
1~2×1016
<5×104
LECΦ30
Φ30×0.5
单晶基片
溅射靶材
仪器设备
公司名称:
合肥元晶科技材料有限公司
开 户 行:
徽行 合肥 三孝口支行
账 号:
102 110 102 10002 02672
税 号:
340 104 550 183200