磷化镓(GaP)


单晶

掺杂

导电类型

载流子浓度cm-3

位错密 度cm-2

生长方法
最大尺寸

标准基片

GaP

S
undoped

N
N

2~8×1017
2~6×1016

<105

LEC
Φ50

Φ2″×0.5