中文版
|
ENGLISH
专业生产单晶衬底、溅射靶材和实验室配套设备产品
首页
|
关于我们
|
产品展示
|
客户案例
|
新闻动态
|
联系我们
磷化镓(GaP)
单晶
掺杂
导电类型
载流子浓度cm-3
位错密 度cm-2
生长方法
最大尺寸
标准基片
GaP
S
undoped
N
N
2~8×1017
2~6×1016
<105
LEC
Φ50
Φ2″×0.5
单晶基片
溅射靶材
仪器设备
公司名称:
合肥元晶科技材料有限公司
开 户 行:
徽行 合肥 三孝口支行
账 号:
102 110 102 10002 02672
税 号:
340 104 550 183200