硅（Si)

用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。

性质：

 

 

生长方法

 

晶体结构

面心立方

晶格常数

 

密 度

2.4g/cm3

熔 点

1420℃

掺杂物质

不掺杂

掺B

掺P

类 型

P

P

N

电 阻 率

10-3~40Ωcm

10-3~40Ωcm

102~104Ωcm

E P D

≤100∕cm2

≤100∕cm2

≤100∕cm2

氧含量（∕cm3）

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

碳含量（∕cm3）

≤5×1016

≤5×1016

≤5×1016

标准产品：

晶体方向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

标准抛光棒尺寸

Φ1″~Φ8″×200mm

标准毛片尺寸

Φ1″×0.5、Φ2″×0.6、Φ3″×0.7、Φ4″×0.8

标准抛光片尺寸

Φ1″×0.3、Φ2″×0.5、Φ3″×0.5、Φ4″×0.6

注：可根据客户要求，提供特殊尺寸和晶向的基片。