锗（Ge)

用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池沉底等材料。

性质：

 

 

生长方法

提拉法

晶体结构

立方

晶格常数

a=5.65754Å

密 度

5.323g/cm3

熔 点

937.4℃

掺杂物质

不掺杂

掺Sb

掺In或Ga

类 型

∕

N

P

电 阻 率

＞35Ωcm

0.05Ωcm

0.05~0.1Ωcm

E P D

＜4×103∕cm2

＜4×103∕cm2

＜4×103∕cm2

标准产品：

晶体方向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

标准抛光棒尺寸

Φ1″~Φ5″×200mm

标准毛片尺寸

Φ1″×0.5、Φ2″×0.6、Φ3″×0.7、Φ4″×0.8

标准抛光片尺寸

Φ1″×0.3、Φ2″×0.5、Φ3″×0.5、Φ4″×0.6

注：可根据客户要求，提供特殊尺寸和晶向的基片。