LiAlO2 单晶基片

铝酸锂单晶对GaN晶格匹配非常好（失配率约 1.4%），因而成为潜在的III-V族氮化物薄膜衬底材料。

技术参数：

晶体结构

四方

晶格常数

a=5.17 A
c=6.26 A

与GaN失配率<001>

1.4%

密 度

2.62 g/cm3

莫氏硬度

7.5 Mohs

熔 点

1900 ℃

 

 

 

 

 

 

 

 

产品规格：

晶 向

<100>、<001>±0.5º

尺 寸

Dia2” x 0.5mm 20 x 20 x 0.5mm
10 x 10 x 0.5mm 10 x 5 x 0.5mm 5 x 5 x 0.5mm

可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底。

抛 光

单面抛光
双面抛光

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子力显微镜（AFM）检测报告

标准包装：

100级超净袋或单片晶盒封装。