LiGaO2 单晶基片
镓酸锂单晶对GaN晶格匹配非常好(失配率< 0.2%),并且在高温下化学稳定和成本低,因而成为潜在的III-V族氮化物薄膜衬底材料。
技术参数:
生长方法 |
提拉法 |
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晶体结构 |
正交 | |
熔 点 |
1600 ℃ | |
密 度 |
4.18 g/cm3 | |
莫氏硬度 |
7.5 Mohs | |
晶格常数 |
a=5.406 A | |
颜色及外观 |
白色到棕色,没有鸾晶和包裹物 | |
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产品规格:
晶 向 |
<100>、<001>±0.5º |
尺 寸 |
dia30 x 0.5mm 20 x 20 x 0.5mm 可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底。 |
抛 光 |
单面抛光 |
表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A |
标准包装:
100级超净袋或单片晶盒封装。