LiGaO2 单晶基片

镓酸锂单晶对GaN晶格匹配非常好(失配率< 0.2%),并且在高温下化学稳定和成本低,因而成为潜在的III-V族氮化物薄膜衬底材料。

技术参数

生长方法

提拉法

晶体结构

正交

熔 点

1600 ℃

密 度

4.18 g/cm3

莫氏硬度

7.5 Mohs

晶格常数

a=5.406 A
b=5.012 A
c=6.379 A

颜色及外观

白色到棕色,没有鸾晶和包裹物

 

 

 

 

 

 

产品规格:

晶 向

<100>、<001>±0.5º

尺 寸

dia30 x 0.5mm 20 x 20 x 0.5mm
10 x 10 x 0.5mm 10 x 5 x 0.5mm 5 x 5 x 0.5mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底。

抛 光

单面抛光
双面抛光

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

标准包装:

100级超净袋或单片晶盒封装。