SiC 单晶基片

主要产品：

●2’’4H导电SiC晶片
●2’’6H导电SiC晶片
●3’’4H导电SiC晶片
●2’’6H半绝缘SiC晶片

技术参数：

生长方法

MOCVD

晶体结构

六方

晶格常数

a=3.08 A
c=15.08 A

排列次序

ABCACB

方 向

生长轴或 偏<0001> 3.5 º

带 隙

2.93 eV (间接)

硬 度

9.2 Mohs

电 阻 率

 

导电类型

 

热传导@300K

5 W/ cm.k

介电常数

e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

产品规格：

晶 向

<0001>

尺 寸

dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
10 x 10 mm 10 x 5 mm 5 x 5 mm

抛 光

单面抛光
双面抛光

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=10A
可提供原子力显微镜（AFM）检测报告

标准包装：

100级超净袋或单片晶盒封装。