Nb:SrTiO3掺铌钛酸锶单晶基片

掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构，但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001 ohm-cm之间变化，随着掺杂浓度在0.01~0.001 wt%之间不同。传到的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。

技术参数：

Nb:SrTiO3 级别

A

B

C

D

Nb 浓度(wt%)

1.0

0.7

0.4

0.1

电阻率 ohm-cm

0.0035

0.0070

0.05

0.08

迁移率 cm2/vs

9.0

8.5

8.5

6.5

产品规格：

晶 向

<100>、<110>、<111>±0.5º

尺 寸

dia30 x 0.5mm 10 x 10 x 0.5mm
10 x 5 x 0.5mm 5 x 5 x 0.5mm

可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底。

抛 光

单面抛光
双面抛光

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子力显微镜（AFM）检测报告

标准包装：

100级超净袋或单片晶盒封装。