钛酸钡单晶具有优异的光折变性能,具有高的自泵浦相位共轭反射率和二波混频(光放大)效率,在光信息存储方面有巨大的潜在应用前景,同时也是重要的衬底基片材料。
元晶科技可以提供纯钛酸钡单晶、掺Ce:BaTiO3、掺Rh:BaTiO3单晶产品。
技术参数:
生长方法 |
顶部籽晶法 |
|
晶体结构 |
四方 9℃<T<130.5℃ | |
熔 点 |
1612 ℃ | |
密 度 |
6.02 g/cm3 | |
介电常数 |
ea=3700 ec=135(自由状态) | |
折 射 率 |
515nm 633nm 800nm | |
透过波长范围 |
0.43-6.30um | |
自泵浦相位共轭反射率(0度切) |
50 - 70 % for l = 515 nm(Ce: BaTiO3) | |
二波混频耦合系数 |
10 -40 cm-1 | |
吸收损失 |
l: 515 nm 633 nm 800 nm | |
光折变效应的工作波长 |
Undoped BTO: for visible |
产品规格:
晶 向 |
<100>、<001>、<111>±0.5º |
尺 寸 |
10 x 10 x 1mm 10 x 5 x 1mm 5 x 5 x 1mm 可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底。 |
抛 光 |
单面抛光 |
表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=10 A |
标准包装:
100级超净袋或单片晶盒封装。