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合肥元晶科技材料有限公司

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AlN

氮化铝(AlN)单晶片

物性参数

晶体结构铅锌矿型结构
晶格常数a=3.112Å , c=4.982 Å
导带类型直接带隙
晶体密度3.23  g/cm3
表面努氏硬度800
熔      点2750 ℃(10-100 bar氮气下)
导热系数320  W/m·k
禁带宽度6.28  eV
电子迁移率1100  V·s/cm2
击穿场强11.7  MV/cm
声波速率11,300  m/s
制备方法物理气相沉积


常用规格参数
晶型2H
晶向(0001) ± 0.5°
尺寸10 x 10mm (5x5mm,dia10mm,dia15mm,dia20mm,dia25.4mm,dia50.8mm)
厚度400 ± 50 μm
表面铝面:化学抛光(双抛可定制)
表面粗糙度(Ra)

铝面:<0.5 nm

氮面(背面):< 1.2 μm

质量等级S级(Super)
P级(Production)R级(Research)
HRXRD 半高宽@(0002) (arcsec)
<= 150<= 300<= 500
HRXRD半高宽@(10-12)(arcsec)<= 100<= 200<= 400
吸收系数@265nm(cm-1
<= 50
<= 70<= 100
边缘去除区(mm)
111
划痕
NoNoNo
崩边NoNo<=3  累计<=1.0mm
可用面积>= 90%
总厚度变化(TTV)<= 30μm
翘曲度(Rarp)<= 30μm
弯曲度(Bow)<= 30μm
裂纹无,裸眼,强光
表面污染
无,裸眼,散射光

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