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合肥元晶科技材料有限公司

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AlScN on Sapphire wafer

铝钪氮蓝宝石外延片 (AlScN on Al2O3 wafer)

在已知的滤波器压电材料中,氮化铝薄膜C向声波传播速度可达12000m/s(传统衬底材料的声波传播速度低于4000m/s)。

氮化铝具有良好的化学和热稳定性,以及对外界环境如压力、温度、应力、气体等具有极高的灵敏性,且与常规传统的硅基CMOS技术相兼容,因而氮化铝薄膜是5G高频SAW/BAW滤波器及MEMS传感器中最优秀的压电材料。

同时,掺杂钪的氮化铝薄膜能大幅提升氮化铝薄膜的压电系数,从而提高SAW/BAW的机电耦合系数,是新一代5G射频SAW/BAW滤波核心衬底材料。

产品规格参数
直径(inch)
246
基材
蓝宝石衬底 C-plane
基材厚度(μm)430±15650±201300±20
Sc 浓度(at%)
40±5
AlScN 外延层厚度(nm)
800
晶面取向C-axis (0001) ± 0.2°
有效面积
> 95%
裂纹No
HRXRD 半高宽 @ (0002) (arcsec)
<= 120
表面粗糙度Ra(5x5μm)(nm)
<= 10
总厚度变化(μm)
<= 10<= 20<= 20
翘曲度(μm)<= 20<= 40<= 60
弯曲度(μm)<= 20<= 40<= 60

QQ截图20240716223004.jpg