铝钪氮蓝宝石外延片 (AlScN on Al2O3 wafer)
在已知的滤波器压电材料中,氮化铝薄膜C向声波传播速度可达12000m/s(传统衬底材料的声波传播速度低于4000m/s)。
氮化铝具有良好的化学和热稳定性,以及对外界环境如压力、温度、应力、气体等具有极高的灵敏性,且与常规传统的硅基CMOS技术相兼容,因而氮化铝薄膜是5G高频SAW/BAW滤波器及MEMS传感器中最优秀的压电材料。
同时,掺杂钪的氮化铝薄膜能大幅提升氮化铝薄膜的压电系数,从而提高SAW/BAW的机电耦合系数,是新一代5G射频SAW/BAW滤波核心衬底材料。
产品规格参数 | |||
直径(inch) | 2 | 4 | 6 |
基材 | 蓝宝石衬底 C-plane | ||
基材厚度(μm) | 430±15 | 650±20 | 1300±20 |
Sc 浓度(at%) | 40±5 | ||
AlScN 外延层厚度(nm) | 800 | ||
晶面取向 | C-axis (0001) ± 0.2° | ||
有效面积 | > 95% | ||
裂纹 | No | ||
HRXRD 半高宽 @ (0002) (arcsec) | <= 120 | ||
表面粗糙度Ra(5x5μm)(nm) | <= 10 | ||
总厚度变化(μm) | <= 10 | <= 20 | <= 20 |
翘曲度(μm) | <= 20 | <= 40 | <= 60 |
弯曲度(μm) | <= 20 | <= 40 | <= 60 |