β-Ga2O3 单晶片
| 晶片产品参数 | |||
| 晶向 | (100) ± 0.5° | (010) ± 1.0° | (001) ± 0.5° |
| 电学参数 | UID：1 x 1016 ~ 5 x 1017 cm-3 Sn-doped：>= 1 x 1018 cm-3 Fe-doped：>= 1 x 1010 ohm-cm | UID：1 x 1016 ~ 5 x 1017 cm-3 Sn-doped：>= 1 x 1018 cm-3 Fe-doped：>= 1 x 1010 ohm-cm | UID：1 x 1016 ~ 5 x 1017 cm-3 Sn-doped：>= 1 x 1018 cm-3 Fe-doped：>= 1 x 1010 ohm-cm |
| 双晶摇摆半高宽 | <= 150" | <= 350" | <= 150" |
| 位错密度 | < 1 x 105 cm-2 | < 1 x 105 cm-2 | < 1 x 105 cm-2 |
| 尺寸 | 10 x 10.5 x 0.5mm | 10 x 10.5 x 0.7mm | 10 x 10.5 x 0. 5mm |
| 表面 | 单面抛光 | 单面抛光 | 单面抛光 |
| 表面粗糙度 | Ra: < 0.5 nm | Ra: < 1.0 nm | Ra: < 0.5 nm |
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