砷化镓（GaAs）单晶片
| 物理参数 | |
| 晶体结构 | 立方晶系 |
| 晶格常数 | a=5.6534 Å |
| 熔点 | 1237 ℃ |
| 常规产品参数 | ||
| Item | 产品一 | 产品二 |
| 类型/掺杂 | N-type/Si-doped | Semi-Insulating |
| 制备方法 | VGF | VGF |
| 晶向 | (100) 朝 (111) 偏 15°±0.5° | (100) ± 0.5° |
| 主定位边 | (0-1-1) ± 0.5°/ 16 ± 2 mm | (00-1) ± 0.5° / 32 ± 2 mm |
| 次定位边 | (0-11) ± 0.5° / 7 ± 1 mm | (0-11) ± 0.5° / 18 ± 1 mm |
| 尺寸 | dia50.8 x 0.35mm 5 x 5 x 0.35mm 10 x 10 x 0.35 mm | dia100 x 0.6 mm 5 x 5 x 0.6 mm 10 x 10 x 0.6 mm |
| 表面 | 单面抛光 | 双面抛光 |
| 电阻率 | (0.4~9) x 10-3 ohm-cm | > 1 x 107 ohm-cm |
| 载流子浓度 | (5~40) x 1017 cm-3 | |
| 位错密度 | <= 5000 cm-2 | < 6000 cm-2 |
| 迁移率 | > 1500 cm2/V.s | > 5000 cm2/V.s |
| TTV | < 15 μm | < 15 μm |
| Bow | < 10μm | < 10 μm |
| Warp | < 10μm | < 10 μm |
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