氮化镓（GaN）单晶片
| 物理参数 | |
| 晶体结构 | 六方晶系 |
| 晶格常数 | a=3.186Å, c=5.186Å |
| 制备方法 | HVPE（氢化物气相外延法） |
| 常规产品参数 | ||||
| Item | 产品一 | 产品二 | 产品三 | 产品四 |
| 类型/掺杂 | N-type/undoped | N-type/Si-doped | Semi-Insulating/Fe-doped | Semi-Insulating/C-doped |
| 晶向 | C-plane (0001) off angle toward M-axis 0.35° ± 0.15° | |||
| 主定位边 | (10-10) ± 2.0° / 16 ± 1 mm | |||
| 次定位边 | (11-20) ± 3.0° / 8 ± 1 mm | |||
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.4 mm 10 x 10 x 0.4mm dia50.8 x 0.4 mm | |||
| 表面 | 单面抛光 / 双面抛光 | |||
| 电阻率 | < 0.1 ohm-cm | < 0.05 ohm-cm | > 1 x 106 ohm-cm | > 1 x 108 ohm-cm |
| 表面粗糙度 | Ra: < 0.5 nm | |||
| 有效面积 | > 90% | |||
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