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合肥元晶科技材料有限公司

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Ge

锗(Ge)单晶片

物理参数
晶体结构立方晶系
晶格常数5.6754Å
熔点
937.4℃
密度5.323 g/cm3
生长方法
CZ


常规产品规格
Item产品 一产品 二
类型/掺杂N-type/Sb-dopedP-type/Ga-doped
晶向(111) ± 0.5° (100) ± 0.5°
电阻率5~40 ohm-cm0.005 ~ 0.02 ohm-cm
尺寸dia100 x 0.5 mmdia100 x 0.5 mm
表面单面抛光单面抛光
位错密度<= 0 cm-2<= 0 cm-2
包装充氮气,单片盒包装充氮气,单片盒包装


QQ截图20240805205938.jpg