磷化铟（InP）单晶片
| 物理参数 | |
| 晶体结构 | 立方晶系 |
| 晶格常数 | a=5.4505Å |
| 密度 | 4.81 g/cm3 |
| 熔点 | 1062 ℃ |
| 莫氏硬度 | 3（Mohs） |
| 生长方法 | LEC 液封直拉法 |
| 晶向 | Type/Dopant | 掺杂浓度(n)(cm-3) | 迁移率(μ)(cm2/V.s) | 电阻率(Ω.cm) | 位错密度(cm-2) | 可供尺寸 | 表面 |
| (100) | N-type/un-doped | < 3 x 1016 | > 1700 | --- | < 50000 | dia50.8 x 0.5 mm dia76.2 x 0.6 mm dia100 x 0.65 mm | 单面抛光 |
| N-type/S-doped | 5 x 1017 < n > 5 x 1018 | > 1700 | --- | < 50000 | |||
| P-type/Zn-doped | 0.6 x 1018 < n < 6 x 1018 | > 50 | --- | < 50000 | 双面抛光 | ||
| N-type/Fe-doped | 107 ~ 108 | > 1700 | >107 | < 50000 |
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