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合肥元晶科技材料有限公司

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Si

硅(Silicon)单晶片

物理参数
晶体结构立方晶系
晶格常数a=5.4301 Å
硬度
6.5(Mohs)
密度2.329 g/cm3
熔点1414 ℃
生长方法CZ and FZ


常规产品参数
类型/掺杂非掺N型掺杂(Ph,Sb,As)P型掺杂B
晶向

(100) ±0.5°

(110) ±0.5°

(111) ±0.5°

其他晶向可定制

(100) ± 0.5°

(110) ± 0.5°

(111) ± 0.5°

其他晶向可定制

(100) ± 0.5°

(110) ± 0.5°

(111) ± 0.5°

其他晶向可定制

电阻率

>1000  ohm-cm

> 10K  ohm-cm

> 20K ohm-cm

1 ~ 10 ohm-cm

0.1 ~ 0.9 ohm-cm

0.01 ~ 0.09 ohm-cm

0.001 ~ 0.009 ohm-cm

1 ~ 10 ohm-cm

0.1 ~ 0.9 ohm-cm

0.01 ~ 0.09 ohm-cm

0.001 ~ 0.009 ohm-cm

尺寸

5 x 5 x 0.5mm

10 x 10 x 0.5mm

20 x 20 x 0.5 mm

dia50.8 x 0.5 mm

dia76.2 x 0.5 mm

dia100 x 0.5 mm

dia125 x 0.5 mm

dia150 x 0.625 mm

dia200 x 0.725 mm

5 x 5 x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

20 x 20 x 0.5 mm

dia50.8 x 0.5 mm

dia76.2 x 0.5 mm

dia100 x 0.5 mm

dia125 x 0.5 mm

dia150 x 0.625 mm

dia200 x 0,725 mm

5 x 5 x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

20 x 20 x 0.5 mm

dia50.8 x 0.5 mm

dia76.2 x 0.5 mm

dia100 x 0.5 mm

dia125 x 0.5 mm

dia150 x 0.625 mm

dia200 x 0.725 mm

表面单面抛光 / 双面抛光单面抛光 / 双面抛光单面抛光 / 双面抛光
表面粗糙度Ra : < 0.5 nm


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