SiO2/Si wafer

硅氧化片（SiO₂/Si）单晶片

常规产品参数
SiO2/Si	类型/掺杂	晶向	尺寸	表面	电阻率	SiO2 氧化层厚度
	非掺	(100) ± 0.5° (111) ± 0.5°	10 x 10 x 0.5 mm dia50.8 x 0.5mm dia76.2 x 0.5 mm dia100 x 0.5 mm dia150 x 0.625mm	单面抛光+单面氧化单面抛光+双面氧化双面抛光+单面氧化双面抛光+单面氧化	> 1000 ohm-cm > 10K ohm-cm > 20K ohm-cm	100nm 280nm 300nm 500nm 1000nm
	N型掺杂Ph	(100) ± 0.5° (111) off axis 4.0°			1 ~ 10 ohm-cm
	N型掺杂As				0.001 ~ 0.005 ohm-cm
	P型掺杂B				1 ~ 10 ohm-cm 0.001 ~ 0.005 ohm-cm
备注	可按要求订制不同氧化层厚度的产品可按要求裁切成不同尺寸

QQ截图20240919180308.jpg